Dbb sisteminde n tipi yarıiletken bariyer kullanılarak akım osilasyonlarının deneysel analizi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorSolmaz, Ramazan
dc.contributor.authorHansu, Fevzi
dc.contributor.authorAlisoy, Hafız
dc.date.accessioned2020-11-23T08:12:11Z
dc.date.available2020-11-23T08:12:11Z
dc.date.issued20-22 June, 2019/Siirt/Turkeyen_US
dc.departmentMühendislik Fakültesien_US
dc.description.abstractTeknolojinin gelişmesine paralel olarak yarıiletken malzemenin kullanıldığı alanlar giderek yaygınlaşmaktadır. Özellikle uzay teknolojisi, savunma sanayi ve tıp alanında kullanılan sistemlerin her koşulda kararlı, verimli ve uzun ömürlü olması istenmektedir. Elektronik teknolojisinin temelini oluşturan yarıiletken malzemelerin kararlılığı değişken kuvvetli elektrik alan ortamında incelenebilir. Bu çalışmada N tipi yarıiletken malzemenin kararlılığını analiz etmek için DBB sisteminde farklı ortam ve farklı frekans değerlerinde uygulamalar gerçekleştirilmiştir. Bu uygulamalar her ortam için rastgele seçilen 50 Hz, 100 Hz, 200 Hz, 350 Hz ve 500 Hz frekanslı gerilim değerlerinde yapılmıştır. Elde edilen deneysel veriler ile gerilim akım eğrileri oluşturularak N tipi yarıiletken malzeme DBB sistemi ile analiz edilmiştir. Sonuçlara göre vakum ortamında delinmeler 0,675 kV-0,855 kV aralığında meydana gelirken, hava ortamında 6 kV-7,05 kV aralığında ve azot ortamında 7,2 kV-7,95 kV aralığında meydana gelmiştir. Uygulamalara ait delinme gerilimleri ve boşalma akım osilasyonları incelendiğinde DBB sisteminde basıncın önemli bir faktör olduğu görülmektedir. İnert olan azot gazı ise sistemin kararlılığını artırmaktadır. N tipi yarıiletken malzemenin özellikleri düşük basınç, düşük gerilim ve düşük frekansta daha belirgin olduğu söylenebilir.en_US
dc.identifier.citationSolmaz, Ramazan, Hansu, Fevzi , Alisoy, Hafız ,Dbb sisteminde n tipi yarıiletken bariyer kullanılarak akım osilasyonlarının deneysel analizi ,International Engineering and Science Symposium , (2019),en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12604/2728
dc.institutionauthorHansu, Fevzi
dc.language.isotren_US
dc.publisherİESS publishingen_US
dc.relation.ispartofInternational Engineering and Science Symposium
dc.relation.publicationcategoryKonferans Öğesi - Uluslararası - Kurum Öğretim Elemanıen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.snmz#KayıtKontrol#
dc.subjectDBBen_US
dc.subjectN tipi yarıiletken bariyeren_US
dc.subjectAkım osilasyonlarıen_US
dc.titleDbb sisteminde n tipi yarıiletken bariyer kullanılarak akım osilasyonlarının deneysel analizien_US
dc.title.alternativeExperimental Investigation of Current Oscillations by Using N-Type Semiconductor Barrier in DBD Systemen_US
dc.typeArticleen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
DBB Sisteminde N Tipi Yarıiletken Bariyer Kullanılarak Akım Osilasyonların Deneysel analizi.pdf
Boyut:
1.07 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Makale
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
[ X ]
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

2) Makale