Dbb sisteminde n tipi yarıiletken bariyer kullanılarak akım osilasyonlarının deneysel analizi
Yükleniyor...
Tarih
20-22 June, 2019/Siirt/Turkey
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
İESS publishing
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Teknolojinin gelişmesine paralel olarak yarıiletken malzemenin kullanıldığı alanlar giderek
yaygınlaşmaktadır. Özellikle uzay teknolojisi, savunma sanayi ve tıp alanında kullanılan sistemlerin her
koşulda kararlı, verimli ve uzun ömürlü olması istenmektedir. Elektronik teknolojisinin temelini
oluşturan yarıiletken malzemelerin kararlılığı değişken kuvvetli elektrik alan ortamında incelenebilir.
Bu çalışmada N tipi yarıiletken malzemenin kararlılığını analiz etmek için DBB sisteminde farklı ortam
ve farklı frekans değerlerinde uygulamalar gerçekleştirilmiştir. Bu uygulamalar her ortam için rastgele
seçilen 50 Hz, 100 Hz, 200 Hz, 350 Hz ve 500 Hz frekanslı gerilim değerlerinde yapılmıştır. Elde edilen
deneysel veriler ile gerilim akım eğrileri oluşturularak N tipi yarıiletken malzeme DBB sistemi ile analiz
edilmiştir. Sonuçlara göre vakum ortamında delinmeler 0,675 kV-0,855 kV aralığında meydana gelirken,
hava ortamında 6 kV-7,05 kV aralığında ve azot ortamında 7,2 kV-7,95 kV aralığında meydana gelmiştir.
Uygulamalara ait delinme gerilimleri ve boşalma akım osilasyonları incelendiğinde DBB sisteminde
basıncın önemli bir faktör olduğu görülmektedir. İnert olan azot gazı ise sistemin kararlılığını
artırmaktadır. N tipi yarıiletken malzemenin özellikleri düşük basınç, düşük gerilim ve düşük frekansta
daha belirgin olduğu söylenebilir.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
DBB, N tipi yarıiletken bariyer, Akım osilasyonları
Kaynak
International Engineering and Science Symposium
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Solmaz, Ramazan, Hansu, Fevzi , Alisoy, Hafız ,Dbb sisteminde n tipi yarıiletken bariyer kullanılarak akım osilasyonlarının deneysel analizi ,International Engineering and Science Symposium , (2019),
