Yazar "Solmaz, Ramazan" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 6 / 6
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe Dbb sisteminde n tipi yarıiletken bariyer kullanılarak akım osilasyonlarının deneysel analizi(İESS publishing, 20-22 June, 2019/Siirt/Turkey) Solmaz, Ramazan; Hansu, Fevzi; Alisoy, HafızTeknolojinin gelişmesine paralel olarak yarıiletken malzemenin kullanıldığı alanlar giderek yaygınlaşmaktadır. Özellikle uzay teknolojisi, savunma sanayi ve tıp alanında kullanılan sistemlerin her koşulda kararlı, verimli ve uzun ömürlü olması istenmektedir. Elektronik teknolojisinin temelini oluşturan yarıiletken malzemelerin kararlılığı değişken kuvvetli elektrik alan ortamında incelenebilir. Bu çalışmada N tipi yarıiletken malzemenin kararlılığını analiz etmek için DBB sisteminde farklı ortam ve farklı frekans değerlerinde uygulamalar gerçekleştirilmiştir. Bu uygulamalar her ortam için rastgele seçilen 50 Hz, 100 Hz, 200 Hz, 350 Hz ve 500 Hz frekanslı gerilim değerlerinde yapılmıştır. Elde edilen deneysel veriler ile gerilim akım eğrileri oluşturularak N tipi yarıiletken malzeme DBB sistemi ile analiz edilmiştir. Sonuçlara göre vakum ortamında delinmeler 0,675 kV-0,855 kV aralığında meydana gelirken, hava ortamında 6 kV-7,05 kV aralığında ve azot ortamında 7,2 kV-7,95 kV aralığında meydana gelmiştir. Uygulamalara ait delinme gerilimleri ve boşalma akım osilasyonları incelendiğinde DBB sisteminde basıncın önemli bir faktör olduğu görülmektedir. İnert olan azot gazı ise sistemin kararlılığını artırmaktadır. N tipi yarıiletken malzemenin özellikleri düşük basınç, düşük gerilim ve düşük frekansta daha belirgin olduğu söylenebilir.Öğe Experimental Analysis of Current Oscillations of Semiconductor Barrier Discharge(IEEE-Inst Electrical Electronics Engineers Inc, 2020) Solmaz, Ramazan; Hansu, FevziIn this study, experimental analysis of current oscillations of semiconductor barrier discharge (SBD) was carried out. In tests, the current oscillations of semiconductor barriers under various strong electric fields in vacuum, air, and nitrogen gas mediums have been investigated. Experiments were carried out by using p- and n-type semiconductor layers, creating single- and double-barrier electrode configurations. In addition, in the study, frequency response of p- and n-type semiconductor layers was investigated in randomly selected 50-, 100-, 200-, 350-, and 500-Hz frequency rates. With the using of experimental data, the voltage-current curves of SBD were created. It was observed that discharge current gives more stable results in Townsend mode. Furthermore, with increasing of test voltage, the discharge passed to the glow mode that contains the formation of unstable current oscillations. When the obtained data were evaluated, it was concluded that medium pressure had a significant effect on the development of SBD at fixed electrode gap. It was seen that current oscillations of semiconductor layers show more stable behavior at low-voltage, low-pressure, and low-frequency values. It has been concluded that electrical breakdown events in semiconductor barriers occur at higher voltage values than the barrier-free system in vacuum medium.Öğe Experimental frequency analysis of p and n-type semiconductor barriers in SBD system(Pergamon-Elsevier Science Ltd, 2020) Solmaz, Ramazan; Hansu, FevziAn experimental study was conducted to analyze the behavior of semiconductor materials in a variable strong electrical field medium, the effect of semiconductor barriers on the formation and development of the discharge, the barrier effect of semiconductor materials and the frequency response of Semiconductor Barrier Discharge (SBD) system. Applications were carried out in vacuum, air and nitrogen medium separately with randomly selected frequency values. It was seen from the first stage results that the barrier effect of the semiconductor layers on the current oscillations is quite striking in the vacuum medium. As the frequency of the applied voltage increases, the barrier effect of the semiconductor layers was seen to reduce. Besides, as the frequency values increase, the discharge current was determined to get more linear. In the second stage, the results have shown that the SBD operated with the AC voltage characterizes the structure of a band-stop filter. The frequency of the voltage applied to the SBD system and the design of the reactor determine the frequency at which the discharge current was suppressed. Knowing these new features of SBD effects on semiconductors, give an important contribution to the design of the semiconductor production industry.Öğe P tipi yarıiletken bariyer kullanarak dielektrik bariyer boşalması deneysel analizi(02-04 May 2019) Solmaz, Ramazan; Hansu, FevziYaşamın her alanında (uzay teknolojisi, savunma sanayi, tıp uygulamaları gibi) yaygın olarak kullanılan yarıiletken malzemelerin her koşulda doğru çalışması, verimli ve uzun ömürlü olması istenmektedir. Elektronik sistemlerin temelini oluşturan yarıiletken malzemelerin kararlılıklarının, kuvvetli elektrik alanı ortamlarında incelenmesiyle önemli sonuçlara ulaşılabilir. Bir malzemenin kararlılığının belirlenmesi, bilinen yöntemlerin yanı sıra kuvvetli elektrik alanı ortamında meydana getirdiği akım osilasyonları ile ilişkilidir. Dolayısıyla bu çalışmada, DBB sisteminde P tipi yarıiletken bir malzemenin değişken kuvvetli elektrik alan ortamındaki davranışı araştırılmıştır. P tipi yarıiletken malzeme DBB reaktöründeki düşük gerilim elektrotu üzerinde bariyer tabaka olarak kullanılarak deneysel analiz gerçekleştirilmiştir. Deneyler hava ve vakum ortamında, 50 Hz ile 500 Hz frekans değerlerinde gerçekleştirilmiştir. Elde edilen verilere göre P tipi yarıiletken bariyer tabakanın ortamda meydana gelen akım osilasyonları üzerinde önemli bir etkisi olduğu görülmüştür. Bu etki (P=-0,88 bar) vakum ortamında ve düşük boşalma akımı değerlerinde daha belirgin olarak ortaya çıkmıştır. Ayrıca, boşalma akımının analiz açısından, boşalmanın Townsend modunda daha kararlı sonuçlar verdiği görülmüştür. Yüksek akımlı glow modunda kararsız akım osilasyonları gözlemlenmiştir. DBB uygulamalarında (sabit elektrot açıklığında) delinme vakum ortamında yaklaşık 0,6 kV değerinde gerçekleşirken, atmosferik basınçtaki hava ortamında ise 6,075 kV değerinde meydana geldiği görülmüştür.Öğe P ve n tipi yarıiletken tabakalar ile gerçekleştirilen bariyer boşalmasının akım osilasyonlarının deneysel analizi(Siirt Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 20.06.2019) Solmaz, RamazanYarıiletken malzemelerin kararlılıklarının belirlenmesi için kullanılan yöntemlerden biriside bu malzemelerin değişken kuvvetli elektrik alanı ortamlarında ve farklı frekanslarda sergilediği davranışların incelenmesidir. Bu tez çalışmasında, bariyer boşalması (BB) sisteminde p ve n tipi yarıiletken tabakaların boşalmanın oluşumu ve gelişimi üzerindeki etkisi, düzlemsel elektrot konfigürasyonunda tek ve çift bariyerli olarak incelenmiştir. Deneyler rastgele belirlenen 50 Hz, 100 Hz, 200 Hz, 350 Hz ve 500 Hz frekanslı alternatif gerilim ile vakum, hava ve azot gazı ortamlarında gerçekleştirilmiştir. Oluşturulan Yarıiletken Bariyer Boşalması (YBB) uygulamalarından elde edilen veriler ile Gerilim-Akım eğrileri oluşturularak boşalmanın akım osilasyonları incelenmiştir. Çalışmada YBB’nin frekans etkisini incelemek amacıyla boşalmanın Frekans-Akım eğrileri oluşturulmuştur. Elde edilen sonuçlara göre, elektrotların içinde bulunduğu ortamın basıncı ve gazın cinsi gibi parametrelerin boşalmanın gelişimi üzerinde önemli bir etkiye sahip olduğu görülmüştür. p ve n tipi yarıiletken tabakaların bariyer olarak kullanıldığı uygulamalarda yarıiletken malzemelerin vakum ortamında daha kararlı sonuçlar verdiği görülmüştür. Vakum ortamında n tipi; atmosferik basınçtaki hava ve azot ortamında ise p tipi yarıiletken malzemenin daha kararlı bir davranış göstermiştir. Yapılan uygulamalarda, düşük basınç, düşük gerilim ve düşük frekans koşullarında daha kararlı sonuçlar alınmıştır. Azot gazının genel durumlarda sistemin kararlılığını artırdığı görülmüştür. Vakum, hava ve azot gazı ortamlarında yapılan uygulamalarda frekansın artmasına karşılık, delinme olaylarının daha düşük gerilim değerlerinde meydana geldiği gözlenmiştir. Sisteme uygulanan frekansa bağlı olarak YBB sisteminde bir rezonans noktasının varlığı tespit edilmiştir. Alınan diyagramlardan boşalmaya ait bazı temel parametrelerin hesaplanma yöntemleri belirlenmiştir.Öğe Sınır Elemanları Yöntemiyle MEMS Plakası Dışında Oluşan Manyetostatik Potansiyel Analizi(2020) Solmaz, Ramazan; Hansu, FevziMEMS ve NEMS cihazlarının, gittikçe küçülen yapılarıyla beraber kararlı ve verimli çalışabilmesi içintasarımları önem kazanmaktadır. Sınır elemanları yöntemi bu tür cihazların tasarımı için son zamanlardayaygın olarak kullanılan bir yöntemdir. Bu çalışmada, klasik yöntemler olarak ifade edilen sonlu farklaryöntemi ve sonlu elemanlar yöntemine göre daha yeni bir metot olan sınır elemanları metoduaraştırılmıştır. Sınır elemanları yönteminin MEMS tasarımındaki performansını incelemek için MEMSplakası dışında oluşan skaler manyetik potansiyel analiz edilmiştir. İlk olarak problem bölgesi sınırları, sabitsınır elemanı ile bölümlenmiş ve Dirichlet sınır şartları tanımlanarak problem modellenmiştir. Problemiçözmek için Matlab ortamında yeni bir program geliştirilmiştir. Tasarlanan program, limitleri ve elemansayıları belirlenen iki boyutlu problem bölgesinde, otomatik olarak sonlu elemanlar yöntemi ve sınırelamanları yöntemi için çözüm yapmaktadır. Sonuçların doğruluk derecesini kontrol etmek için problemanalitik olarak çözülerek tüm sonuçlar karşılaştırılmıştır. Uygulamada elde edilen sonuçlara göre sınırelemanları yönteminin sonlu elemanlar yöntemine göre problem çözmek için gerekli veriler, uygulamakolaylığı ve sonuçların doğruluğu açısından birçok pozitif yöne sahip olduğu ifade edilebilir. Bu çalışmadaelde edilen sonuçlara göre MEMS ve NEMS cihazların elektrostatik ve manyetostatik algılama mesafeleritespitinde sınır elamanları metodunun kullanılması önerilebilir. Geliştirilen yeni program, bu tür cihazlarındaha iyi bir tasarıma sahip olmalarına katkı sunabilir.
