Yazar "Çelik, Veysel" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • [ X ]
    Öğe
    Mechanism of Tunable Band Gap of Halide Cubic Perovskite CsPbBr3?xIx
    (2023) Çelik, Veysel
    Perovskites are organic-inorganic compounds with a crystal structure that revolutionize many optoelectronic applications, especially solar cells. The CsPbBr3?xIx, a perovskite, has garnered significant attention due to its tunable band gap and excellent photovoltaic properties. In this theoretical study, the structural, electronic, and optical properties of CsPbBr3?xIx are investigated through density functional theory calculations. The calculations reveal that the substitution of Br with I leads to a significant reduction in the band gap of CsPbBr3?xIx, resulting in improved light absorption properties. The obtained data show that the coexistence of Br and I ions in the structure creates an energy level similar to the shallow energy levels caused by doping at the R symmetry point in the band structure.
  • [ X ]
    Öğe
    Selenyum Katkılı Çinko Oksit'in Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Teorik İncelenmesi
    (2023) Çelik, Veysel
    Sahip olduğu elektronik özelliklerden dolayı Çinko Oksit (ZnO) yeni nesil güneş pillerinde kullanılan önemli malzemelerdendir. Ancak saf ZnO’nun güneşten gelen ışınlar ile çalışma veriminin arttırılması gerekmektedir. Yabancı atomlar ile katkılama bu anlamda önemli tekniklerden biridir. Bu çalışmada ZnO kristalinin Se atomu ile katkılanması teorik olarak incelenmiştir. Hesaplamalarda yoğunluk fonksiyoneli teorisi (YFT) kullanıldı. Ancak teorinin bilinen hatalarını düzeltmek için hesaplamalarda YFT+U düzeltmesi yapıldı. Bu metot ile saf ZnO’nun bant aralığı 3.27 eV değerinde hesaplandı. Bu değer deneysel değer olan 3.44 eV değerine yakındır. Se atomu kristal yapı içerisinde yerel bozulmalara yol açmaktadır. Ancak bu bozulmalar ZnO kristalinin karakteristik özelliklerini kayda değer değiştirmemektedir. Se ile katkılama esas olarak elektronik yapıda değişime yol açmaktadır. Daha fazla değerlik elektronuna sahip Se ile Zn atomu yer değiştirdiğinde bant aralığında, valans bant maksimumunun üzerinde safsızlıktan kaynaklanan iki dolu enerji seviyesi oluşmaktadır. Oluşan bu enerji seviyeleri ZnO’nun görünür bölgedeki ışığın absorpsiyonu aktivitesini artırmaktadır. Elde edilen diğer bir önemli veri ise Se katkılı ZnO kristalinde oksijen eksikliğinin olmasının görünür bölgedeki absorpsiyon aktivitesini olumlu yönde etkilemesidir.